Fornace per Trattamento Termico Rapido ad Alta Precisione per Semiconduttori

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou, Cina
Marca: GoGo
Certificazione: ISO 9001:2015 / ISO 14001:2015 / ISO 45001:2018
Numero di modello: /
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: CNY 30000~600000/set
Imballaggi particolari: Scatola di cartone + scatola di legno
Tempi di consegna: 30~60 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1 set/giorno
Contattaci Ora chiacchieri

Informazioni dettagliate

Nome: Ricottura termica rapida Intervallo di temperatura: -190℃~150℃
Stabilità della temperatura: ± 0,1 ℃ Tasso di raffreddamento/di riscaldamento: Velocità di riscaldamento massima: 150 ℃/min, velocità di raffreddamento controllabile
Fase di campionamento: Argento;4 pollici Ambiente adatto: Vuoto
Sistema di raffreddamento: Raffreddamento ad acqua Configurazione di base: TNEX、Stadio di riscaldamento Ultra-High-T*1、 Regolatore di temperatura*1、Refrigeratore a ricircolo*1
Opzionale: Piastra di adattamento/Serbatoio di azoto liquido personalizzato/Refrigeratore a ricircolo personali
Evidenziare:

Trattamento Termico Rapido per Semiconduttori

,

Trattamento Termico Rapido ad Alta Precisione

,

Fornace per Trattamento Termico Rapido per Semiconduttori

Descrizione di prodotto

Riscaldatore per Wafer ad Alta Precisione con Intervallo di Temperatura da -190°C a 150°C, Stabilità di ±0.1°C e Design Ottimizzato per il Vuoto per la Lavorazione dei Semiconduttori

Nome Prodotto: Riscaldatore per Wafer Criogenico/Riscaldante ad Alta Precisione GoGo per lo Sviluppo di Processi Semiconduttori Avanzati (-190°C a 150°C)
Introduzione al Prodotto

Il Riscaldatore per Wafer ad Alta Precisione GoGo è una piattaforma di lavorazione termica all'avanguardia, progettata per le fasi più esigenti della ricerca e fabbricazione di semiconduttori. Progettato per supportare tecnologie variabili di rilevamento e lavorazione dei processi — dal bonding criogenico profondo alla deposizione di film sottili ALD e alla crescita epitassiale di SiC — questo versatile Riscaldatore per Wafer offre un intervallo di temperatura eccezionalmente ampio da -190°C a 150°C. Con il suo stadio campione in argento ad alta stabilità e il design compatibile con il vuoto, fornisce l'ambiente termico preciso, pulito e uniforme richiesto per lo sviluppo di dispositivi di prossima generazione, rendendolo uno strumento essenziale sia per la R&S che per la produzione su scala pilota.

Vantaggi Chiave e Perché Scegliere il Nostro Riscaldatore per Wafer
  • Intervallo Termico Ineguagliabile per Processi all'Avanguardia: Questo Riscaldatore per Wafer abilita processi che spaziano da temperature criogeniche estreme a temperature moderatamente alte. È particolarmente adatto per applicazioni innovative come il bonding a bassa temperatura per l'integrazione 3D e fornisce un controllo termico preciso per processi di deposizione sensibili come la Deposizione a Strati Atomici (ALD).

  • Uniformità e Stabilità di Temperatura Superiori: Raggiunge un'eccezionale stabilità termica di ±0.1°C sull'intera piastra in argento da 4 pollici. Ciò garantisce risultati di processo coerenti, critici per la deposizione uniforme di film, interfacce di bonding riproducibili e un elevato rendimento dei dispositivi, sia nella ricerca che nella pre-produzione.

  • Cicli Termici Rapidi e Controllabili: Progettato per l'efficienza, questo Riscaldatore per Wafer fornisce un riscaldamento rapido (fino a 150°C/min) e un raffreddamento attivo controllato (tramite azoto liquido e raffreddamento ad acqua), consentendo transizioni rapide tra le fasi di processo e riducendo i tempi di ciclo complessivi nei flussi di lavoro di sviluppo.

  • Ottimizzato per il Vuoto per la Purezza del Processo: Il sistema opera in un ambiente a vuoto controllato, eliminando contaminazioni e reazioni chimiche indesiderate. Questo è fondamentale per la crescita epitassiale ad alta purezza, la lavorazione di superfici pulite e il raggiungimento di interfacce affidabili e prive di ossido nelle applicazioni di bonding.

  • Controllo Intelligente e Affidabilità Certificata: Completamente integrato con il potente software TNEX per il controllo automatico delle ricette e la registrazione dei dati. Prodotto secondo processi certificati ISO 9001, 14001 e 45001, questo Riscaldatore per Wafer è costruito per affidabilità, sicurezza e prestazioni ripetibili in ambienti critici per i semiconduttori.

Specifiche Tecniche
Parametro Specifiche
Tipo di Prodotto Riscaldatore per Wafer / Piastra di Lavorazione Termica
Intervallo di Temperatura -190°C a 150°C
Stabilità di Temperatura ±0.1°C
Dimensione Wafer 4 Pollici (Dimensioni personalizzabili disponibili)
Materiale Piastra Argento (Elevata conducibilità termica)
Ambiente di Processo Vuoto
Sistema di Raffreddamento Raffreddamento ad Acqua Integrato
Sistema di Controllo Piattaforma Software TNEX
Mercati e Clienti di Riferimento

Questo avanzato Riscaldatore per Wafer è progettato per accelerare l'innovazione nei settori dei semiconduttori delle principali regioni globali, tra cui Sud-Est Asiatico, Medio Oriente, Russia e Africa. È una risorsa indispensabile per le strutture di nanofabbricazione universitarie, i laboratori di R&S semiconduttori aziendali e le fonderie di semiconduttori composti focalizzate su MEMS, packaging avanzato e materiali a banda larga come SiC e GaN.

Domande Frequenti (FAQ)
  1. Per quali processi è specificamente progettato questo Riscaldatore per Wafer?
    È ottimizzato per un'ampia gamma di processi tra cui bonding wafer a bassa temperatura (criogenico), Deposizione a Strati Atomici (ALD), epitassia di Carburo di Silicio (SiC), ricottura e qualsiasi applicazione che richieda un controllo preciso della temperatura in vuoto.

  2. Questo sistema può essere integrato nel nostro attuale cluster tool o camera di processo?
    Sì. Il Riscaldatore per Wafer è progettato come un sottosistema modulare. Forniamo specifiche dettagliate dell'interfaccia e possiamo fornire piastre adattatrici personalizzate per facilitare l'integrazione senza interruzioni in camere a vuoto OEM o piattaforme cluster tool.

  3. Come viene ottenuto il raffreddamento criogenico e quanto è stabile?
    Il raffreddamento criogenico viene fornito tramite un sistema a circuito chiuso di azoto liquido gestito da un preciso controller di raffreddamento, che consente temperature stabili fino a -190°C con fluttuazioni minime, essenziale per il bonding e gli studi sui materiali a temperature estremamente basse.

  4. Cosa controlla il software TNEX?
    Il software TNEX fornisce il comando completo, consentendoti di creare, archiviare ed eseguire complesse ricette di temperatura a più fasi, monitorare lo stato del sistema in tempo reale e registrare tutti i dati di processo per una completa tracciabilità e analisi.

  5. Quale manutenzione richiede il Riscaldatore per Wafer?
    Il sistema è progettato per un funzionamento robusto con minima manutenzione. Il principale consumabile è l'azoto liquido per il raffreddamento. Il design modulare consente una facile riparabilità dei componenti chiave, se mai necessario.

Mettetevi in ​​contatto con noi

Entri nel vostro messaggio

Potresti essere in questi